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應用于4~12寸半導體晶圓級封裝WLP植球工藝，涵蓋BGA、WLCSP、Flipchip、Bumping、MEMS、MCM（MCP）、WLP、SiP、TSV、Fan-Out芯片常規(guī)芯片和5G芯片。
最小植球錫球直徑： | 60um |
最小植球間距： | 120um |
植球位置偏差： | 15um |
開孔誤差： | ±5um |
鋼片厚度誤差： | ±5um |
材質： | 鎳合金 |
| 硬度： | 400~550HV |
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